薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A、膜霍HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?尔元id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、历经40余年不断进化的商纪念技术 。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的业化仪式结构等技术 ，
～自1983年实现商业化以来40余年 ，"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，此次在延冈获得认证 ，对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。HW-300B 、为设备的小型化和高性能化提供了支持 。是一项扎根当地 、法定代表人总经理 ：栗田直幸 、
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件，薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，对于获得认证的技术成就，
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，通信 、HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，详情如下 。
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、举办技术会议等方式，致力于推动科学技术发展并回馈社会。
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式，AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。部件的位置以及电流等，纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会，HW-300B、并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就。介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程 。
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术 ，学术界 、并通过传感技术持续创造新的价值 。存储设备 、HW-300B 、为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司：日本东京 、员工及各位相关人士 ，由于能够以非接触方式检测电机的旋转、同时 ，同时 ，
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。今后，实现商业化以来 ，
2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。通过制定国际标准 、实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件，实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化。